檢索結果：共17筆資料 檢索策略： "Shih-Hsiang Hsu".ecommittee (精準) and year="98"
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本論文探討晶片與晶片間光互連積體電路之設計與實現，包含了發光元件、檢光元件以及轉阻放大器。第一部分為差動式輸出轉阻放大器的設計，使用TSMC 0.35um Mixed-Signal 2P4M Pol…
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本論文著重於三種形式的直調環型光纖雷射，分別利用直調法布里－比洛雷射、直調反射式半導體放大器、以及掺鉺光纖與直調半導體放大器。首先，本文分析環型光纖雷射以反射式半導體放大器與直調法布里－比洛雷射所組…
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本論文主要探討光通訊接收端積體電路的設計與實現，包含光偵測器、增益自動控制的轉阻放大器與時脈資料回復電路。 第一部份利用商用矽鍺基製程實現了光偵測器，使用台積電(TSMC) 0.35μm SiGe…
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壓控振盪器與除頻器是頻率合成器電路中主要的電路之一。對壓控振盪器而言，低相位雜訊可避免相鄰雜訊訊號經由混波轉換的干擾。而振盪器的輸出則經由除頻器來達成降頻的工作，因此，除頻器需具有高頻操作，寬的操作…
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本論文探討以電吸收調變器同時接收與發射訊號之技術，並探討結合用戶端低成本光源的光網路架構。文中採用C波帶分散式回饋雷射直接調變2.5GHz 16QAM類比訊號於光纖網路中傳輸，再以電吸收調變器將此接…
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微晶矽薄膜電晶體近來已被廣泛的研究，其擁有可大面積低溫成長的優點，且元件特性又優於非晶矽薄膜電晶體，例如，較高的電子移動率及較低的能帶間隙，普遍被認為將來可以取代非晶矽薄膜電晶體在大尺寸液晶顯示器上…
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氮化鎵是製作發光二極體最主要的材料之一，而氮化鎵的直接能隙(3.4eV)與氮化銦直接能隙(0.7eV)所混合的三元化合物氮化銦鎵(InGaN)可做為發光二極體以及太陽能電池元件。 由於p型氮化鎵之功…
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本研究製作單晶矽太陽電池，以TMAH蝕刻單晶矽晶圓進行表面粗糙化，形成金字塔結構，接著以磷酸溶液做為n+擴散源，經塗佈於Textured單晶矽晶圓並以高溫退火成功形成pn接面，並搭配磁控濺鍍機進行反…
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本論文成功使用低溫濺鍍磊晶法成長矽薄膜並且應用於太陽電池元件製作，磊晶矽薄膜的部份在製程溫度為220℃與直流電源功率為100 W的條件下可得到最佳的矽膜品質，其有效復合速率(Recombinatio…
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本研究成功利用蔽蔭遮罩圖案化製程與固相結晶法於不鏽鋼基板上製作出多晶矽薄膜電晶體，所製作的p型與n型薄膜電晶體其通道長和寬分別為25和100 μm，載子移動率分別為1.4和0 cm2/V-s，Ion…